<input id="aoequ"><u id="aoequ"></u></input>
<nav id="aoequ"><u id="aoequ"></u></nav>
<object id="aoequ"><u id="aoequ"></u></object>
<input id="aoequ"><u id="aoequ"></u></input>
<input id="aoequ"><u id="aoequ"></u></input>
  • <object id="aoequ"></object>
    <menu id="aoequ"></menu>
  • <input id="aoequ"><tt id="aoequ"></tt></input>
  • <menu id="aoequ"></menu>
    <menu id="aoequ"></menu><menu id="aoequ"><u id="aoequ"></u></menu>
  • <input id="aoequ"><acronym id="aoequ"></acronym></input>
    <object id="aoequ"></object>
  • <input id="aoequ"></input>
  • <menu id="aoequ"><u id="aoequ"></u></menu>
  • <input id="aoequ"><u id="aoequ"></u></input>
    <input id="aoequ"><acronym id="aoequ"></acronym></input>
    當前位置 > 新聞中心 > 行業動態
    首次實現 “無漏電流”,大連理工團隊研發納米線橋接生長技術
    出自:集微網

    日前,大連理工大學電子科學與技術學院教授黃輝團隊發明了無漏電流“納米線橋接生長技術”。

    該項發明解決了納米線器件的排列組裝、電極接觸及材料穩定性問題,研制出高可靠性、低功耗及高靈敏度的GaN納米線氣體傳感器,該傳感器可推廣至生物檢測以及應力應變檢測等。 

    相較于傳統體材料和薄膜材料,半導體納米線具有許多獨特優勢:大的比表面積可以提高器件的靈敏度,易于形變可以提升材料的集成能力,納米級的導光和導電通道可以制作單根納米線光子器件。此外,納米線優異的機械性能以及靈活多樣的結構,使其具有較好的柔韌性,且可形成芯包層和交叉網格結構。 

    黃輝表示,而與MEMS器件相比,半導體納米線的尺度縮小了1000倍,面積縮小100萬倍。因此,納米線是最小的器件,也是微納傳感器的理想選擇。

    團隊研制出的集成納米線氣體傳感器——GaN納米線氣體傳感器,經檢測可在室溫下工作,8個月電阻變化率<0.8%,且NO2檢測限為0.5ppb,具有高穩定性、低功耗以及高靈敏度等特點。

    北京郵電大學電子工程學院教授忻向軍表示,該技術首次實現了“無漏電流”GaN橋接納米線,研制出的GaN納米線氣體傳感器將推動傳感芯片的發展。 

        Copy right?2007:All Reserved. 國家集成電路設計西安產業化基地  西安市集成電路產業發展中心
    辦公地址:陜西省西安市高新技術產業開發區科技二路77號光電園二層北 辦公電話:029-88328230 傳真:029-88316024
                    陜ICP備19002690號     陜公安網備 61019002000194號

    一本道无码字幕在线看